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Oxygen transport and GeO2 stability during thermal oxidation of Ge

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Título Oxygen transport and GeO2 stability during thermal oxidation of Ge
Autor Silva, Samoel Renan Mello da
Rolim, Guilherme Koszeniewski
Soares, Gabriel Vieira
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Krug, Cristiano
Miotti, Leonardo
Freire Junior, Fernando Lazaro
Costa, Marcelo Eduardo Huguenin Maia da
Radtke, Claudio
Abstract Oxygen transport during thermal oxidation of Ge and desorption of the formed Ge oxide are investigated. Higher oxidation temperatures and lower oxygen pressures promote GeO desorption. An appreciable fraction of oxidized Ge desorbs during the growth of a GeO2 layer. The interplay between oxygen desorption and incorporation results in the exchange of O originally present in GeO2 by O from the gas phase throughout the oxide layer. This process is mediated by O vacancies generated at the GeO2/Ge interface. The formation of a substoichiometric oxide is shown to have direct relation with the GeO desorption.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 100, no. 19 (May 2012), 191907, 4 p.
Assunto Desorpcao
Germânio
Oxidacao
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141695
Arquivos Descrição Formato
000852457.pdf (763.4Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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