Repositório Digital

A- A A+

Water vapor interaction with silicon oxide films thermally grown on 6H-SiC and Si

.

Water vapor interaction with silicon oxide films thermally grown on 6H-SiC and Si

Mostrar registro completo

Estatísticas

Título Water vapor interaction with silicon oxide films thermally grown on 6H-SiC and Si
Autor Soares, Gabriel Vieira
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Corrêa, Silma Alberton
Radtke, Claudio
Stedile, Fernanda Chiarello
Abstract Thermally induced incorporation of isotopically labeled water vapor D2 18O species in 7 nm thick SiO2 films thermally grown on 6H-SiC 0001 and on Si 001 were investigated. Higher incorporation of hydrogen and higher isotopic exchange were observed in SiO2 /SiC as compared to SiO2 / Si, at temperatures above 600 °C, which can lead to electrical instabilities, especially in high-temperature devices. At any annealing temperature, oxygen is incorporated in the oxide films, reaching the SiO2 /SiC interface, in contrast with SiO2 / Si. The present observations show that strict control of water vapor contents in SiO2 /SiC is mandatory in order to achieve further improvements in the SiC-based device technology.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 95, no. 19 (Sept. 2009), 191912, 3 p.
Assunto Carbeto de silicio
Filmes finos
Semicondutores de gap largo
Semicondutores elementares
Trocas químicas
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141707
Arquivos Descrição Formato
000733795.pdf (650.7Kb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

Este item está licenciado na Creative Commons License

Este item aparece na(s) seguinte(s) coleção(ões)


Mostrar registro completo

Percorrer



  • O autor é titular dos direitos autorais dos documentos disponíveis neste repositório e é vedada, nos termos da lei, a comercialização de qualquer espécie sem sua autorização prévia.
    Projeto gráfico elaborado pelo Caixola - Clube de Criação Fabico/UFRGS Powered by DSpace software, Version 1.8.1.