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Sequential thermal treatments of SiC in NO and O2 : atomic transport and electrical characteristics

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Sequential thermal treatments of SiC in NO and O2 : atomic transport and electrical characteristics

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Título Sequential thermal treatments of SiC in NO and O2 : atomic transport and electrical characteristics
Autor Soares, Gabriel Vieira
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Hold, L.
Kong, F.
Han, J.
Dimitrijev, Sima
Radtke, Claudio
Stedile, Fernanda Chiarello
Abstract Sequential thermal oxidations and oxynitridations of SiC were performed using 18O2 and NO. The resulting films were characterized by x-ray photoelectron spectroscopy, ion beam analyses, and capacitance-voltage measurements. The best electrical characteristics were obtained from films directly grown in NO. A subsequent oxidation in O2 degraded the interface due to negative flatband-voltage shift, removal of N, and formation of C compounds, while a further annealing in NO brought the flatband shift in the C-V curves to rather moderate figures. This shift is related to competitive processes taking place during dielectric film formation which are discussed.
Contido em Applied physics letters. Vol. 91, no. 4 (July 2007), 041906, 3 p.
Assunto Carbeto de silicio
Oxidacao
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141715
Arquivos Descrição Formato
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