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Carrier dynamics in stacked InP/GaAs quantum dots

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Carrier dynamics in stacked InP/GaAs quantum dots

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Título Carrier dynamics in stacked InP/GaAs quantum dots
Autor Veloso, A.B.
Nakaema, Marcelo Kiyoshi Kian
Godoy, Marcio P.F. de
Lopes, João Marcelo Jordão
Likawa, Fernando
Brasil, Maria José Santos Pompeu
Bortoleto, José Roberto Ribeiro
Cotta, Mônica Alonso
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Mörschbächer, Marcio José
Madureira, J.R.
Abstract We investigated two stacked layers of InP/GaAs type-II quantum dots by transmission electron microscopy and optical spectroscopy. The results reveal that InP quantum dots formed in two quantum dot layers are more uniform than those from a single layer structure. The thermal activation energies as well as the photoluminescence decays are rather independent of the separation between quantum dot layers and the presence of the second layer. The quantum dot optical emission persists for thermal activation energy larger than the calculated exciton binding energy. The photoluminescence decay is relatively fast for type-II alignment.
Contido em Applied physics letters. Vol. 91, no. 12 (Sept. 2007), 121917, 3 p.
Assunto Arseneto de galio
Espectrometria de emissão óptica
Fosfeto de índio
Pontos quânticos
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141716
Arquivos Descrição Formato
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