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Stabilization of higher-k tetragonal HfO/sub 2/ by SiO/sub 2/ admixture enabling thermally stable metal-insulator-metal capacitors

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Stabilization of higher-k tetragonal HfO/sub 2/ by SiO/sub 2/ admixture enabling thermally stable metal-insulator-metal capacitors

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Título Stabilization of higher-k tetragonal HfO/sub 2/ by SiO/sub 2/ admixture enabling thermally stable metal-insulator-metal capacitors
Autor Böscke, Tim S.
Govindarajan, Shrinivas
Kirsch, Paul D.
Hung, Puiyee Y.
Krug, Cristiano
Lee, Byoung Hun
Heitmann, Johannes
Schröder, Uwe
Pant, Gaurang
Gnade, Bruce E.
Krautschneider, Wolfgang
Abstract The authors report the relationship between HfO2 crystalline phase and the resulting electrical properties. Crystallization of amorphous HfO2 into the monoclinic phase led to a significant increase in leakage current and formation of local defects. Admixture of 10% SiO2 avoided formation of these defects by stabilization of the tetragonal phase, and concurrently increased the permittivity to 35. This understanding enabled fabrication of crystalline HfO2 based metal-insulator-metal capacitors able to withstand a thermal budget of 1000 °C while optimizing capacitance equivalent thickness 1.3 nm at low leakage J 1 V 10−7 A/cm2 .
Contido em Applied physics letters. Vol. 91, no. 7 (Aug. 2007), 072902, 3 p.
Assunto Capacitores
Háfnio
Propriedades dielétricas
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141733
Arquivos Descrição Formato
000657092.pdf (650.6Kb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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