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Enhancement in interface robustness regarding thermal oxidation in nanostructured Al2O3 deposited on 4H-SiC

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Enhancement in interface robustness regarding thermal oxidation in nanostructured Al2O3 deposited on 4H-SiC

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Título Enhancement in interface robustness regarding thermal oxidation in nanostructured Al2O3 deposited on 4H-SiC
Autor Corrêa, Silma Alberton
Marmitt, Gabriel Guterres
Bom, Nicolau Molina
Rosa, Aline Tais da
Stedile, Fernanda Chiarello
Radtke, Claudio
Soares, Gabriel Vieira
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Krug, Cristiano
Gobbi, Angelo Luiz
Abstract Experimental evidences of enhanced stability of Al2O3 /SiC structures following thermal annealing are presented. 5- and 40-nm-thick Al2O3 films evaporated on the Si- and C-terminated faces of 4H-SiC were annealed up to 1000 °C in different atmospheres, leading to crystallization and densification of Al2O3, with an increase in the band gap. Exposure to O2 at high temperatures produced SiO2 and AlSixOy at the Al2O3 /SiC interface, with less silicate on the Si-terminated face. Annealing in N2 before exposure to O2 hindered oxygen diffusion and exchange, leading to more stable thin film structures from the point of view of atomic transport.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 95, no. 5 (Aug. 2009), 051916, 3 p.
Assunto Carbeto de silicio
Filmes finos dieletricos
Materiais nanoestruturados
Óxido de alumínio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141737
Arquivos Descrição Formato
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