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Interaction of SiC thermal oxidation by-products with SiO2

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Interaction of SiC thermal oxidation by-products with SiO2

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Título Interaction of SiC thermal oxidation by-products with SiO2
Autor Radtke, Claudio
Stedile, Fernanda Chiarello
Soares, Gabriel Vieira
Krug, Cristiano
Rosa, Elisa Brod Oliveira da
Driemeier, Carlos Eduardo
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Pezzi, Rafael Peretti
Abstract We investigated oxygen incorporation and exchange during thermal growth of silicon oxide films on silicon carbide. This investigation was carried out in parallel with the thermal growth of silicon oxide films on silicon for comparison.We provide experimental evidence that oxidation by-products of silicon carbide out-diffuse and interact with the silicon oxide overlayer, incorporating C and O. This and other results are in sharp contrast to those obtained for silicon samples, constituting a key issue in the stability of any dielectric material used on silicon carbide.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 92, no. 25 (June 2008), 252909, 3 p.
Assunto Carbeto de silicio
Expansao termica
Filmes finos
Filmes finos dieletricos
Materiais dieletricos
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/141771
Arquivos Descrição Formato
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