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Determination of thickness and composition of high-k dielectrics using high-energy electrons

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Determination of thickness and composition of high-k dielectrics using high-energy electrons

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Título Determination of thickness and composition of high-k dielectrics using high-energy electrons
Autor Grande, Pedro Luis
Vos, Maarten
Venkatachalam, Dinesh K.
Nandi, Sanjoy K.
Elliman, R. G.
Abstract We demonstrate the application of high-energy elastic electron backscattering to the analysis of thin (2–20 nm) HfO2 overlayers on oxidized Si substrates. The film composition and thickness are determined directly from elastic scattering peaks characteristic of each element. The stoichiometry of the films is determined with an accuracy of 5%–10%. The experimental results are corroborated by medium energy ions scattering and Rutherford backscattering spectrometry measurements, and clearly demonstrate the applicability of the technique for thin-film analysis. Significantly, the presented technique opens new possibilities for nm depth profiling with high spatial resolution in scanning electron microscopes.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 103, no. 7 (Aug. 2013), 071911, 4 p.
Assunto Compostos de háfnio
Estequiometria
Microscopia eletronica
Retroespalhamento rutherford
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/142390
Arquivos Descrição Formato
000903739.pdf (1.316Mb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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