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GeO2/Ge structure submitted to annealing in deuterium : incorporation pathways and associated oxide modifications

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GeO2/Ge structure submitted to annealing in deuterium : incorporation pathways and associated oxide modifications

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Título GeO2/Ge structure submitted to annealing in deuterium : incorporation pathways and associated oxide modifications
Autor Bom, Nicolau Molina
Soares, Gabriel Vieira
Hartmann, Samuel
Bordin, Anderson
Radtke, Claudio
Abstract Deuterium (D) incorporation in GeO2/Ge structures following D2 annealing was investigated. Higher D concentrations were obtained for GeO2/Ge samples in comparison to their SiO2/Si counterparts annealed in the same conditions. Oxygen vacancies produced during the annealing step in D2 constitute defect sites for D incorporation, analogous to defects at the SiO2/Si interfacial region. Besides D incorporation, volatilization of the oxide layer is also observed as a consequence of D2 annealing, especially in the high temperature regime of the present study (>450 C). In parallel to this volatilization, the stoichiometry and chemical structure of remnant oxide are modified as well. These results evidence the broader impact of forming gas annealing in dielectric/ Ge structures with respect to SiO2/Si counterparts.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 105, no. 14 (Oct. 2014), 141605, 4 p.
Assunto Deuterio
Dopagem de semicondutores
Estequiometria
Estrutura química
Germânio
Semicondutores elementares
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/142396
Arquivos Descrição Formato
000944139.pdf (984.4Kb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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