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Explorations on approximate DRAM

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Explorations on approximate DRAM

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Título Explorations on approximate DRAM
Autor Zulian, Éder Ferreira
Orientador Johann, Marcelo de Oliveira
Data 2016
Nível Graduação
Instituição Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Instituto de Informática. Curso de Engenharia de Computação.
Assunto Microeletronica
[en] Accuracy
[en] Approximate computing
[en] DRAM
[en] Energy savings
[en] Refresh
[en] Retention time
Abstract DRAMs have a considerable impact on performance and contribute significantly to the total power consumption in computer systems. They are based on dynamic memory cells that require periodic refreshes in order to ensure data integrity. Recent research shows the increasingly impact of DRAM refresh on power consumption for future high density DRAM devices (LIU et al., 2012),(BHATI et al., 2015). The employment of new DRAM refresh techniques with focus on energy savings and enhanced memory throughput is an active research topic in the DRAM community. Many strategies renounce the reliability provided by a worst-case driven refresh interval present on the standards. They consciously break some rules in order to achieve certain gains. Evidently, increases on the refresh interval or even the total suppression of refreshes may cause total or partial corruption of the stored data within its life time. Therefore, approximate DRAM storage is specially interesting for error resilient applications. Fortunately, error resilience is a characteristic that can be found on a broad range of applications such as signal processing, image, audio, and video processing, graphics, wireless communications, web search, and data analytics (CHIPPA et al., 2013). The main purpose of this work is to evaluate the impact of disabling the DRAM refresh in terms of energy savings and occurrence of retention errors. Furthermore, this work presents some possible applications that could derive benefit from the suppression of DRAM refreshes.
Resumo DRAMs impactam de maneira considerável na performance e contribuem significativamente no consumo energético e potência dissipada em sistemas computacionais. DRAMs têm como base células dinâmicas de armazenamento que demandam atualização periódica de seu conteúdo para que se mantenha íntegro. Pesquisas recentes indicam um crescente impacto na potência consumida devido à atualização periódica das células de memória para futuros dispositivos de alta densidade de células. (LIU et al., 2012),(BHATI et al., 2015). Pesquisadores da área procuram novas técnicas para a atualização das células de memória visando menor consumo energético e aumento da taxa de transferência de dados da memória. Muitas estratégias abrem mão das garantias providas pelo estrito seguimento às especificações que forçosamente devem contemplar o pior caso. Evidentemente, atualizar as células de memória menos frequentemente ou simplesmente deixar de atualizá-las pode causar perda total ou parcial dos dados armazenados caso o tempo de vida dos dados seja superior ao tempo de retenção das células de memória que o armazenam. Sendo assim, a utilização de armazenamento aproximado em DRAMs é especialmente interessante para aplicações que apresentem tolerância à erros. Felizmente, essa é uma característica presente em diversas aplicações tais como processamento de sinais, processamento de imagem, áudio e vídeo, comunicação sem fio, buscas em bancos de dados na rede mundial de computadores e análise de enormes quantidades de dados (CHIPPA et al., 2013). O principal propósito deste trabalho é avaliar o impacto da supressão da atualização periódica da memória em termos de economia energética e ocorrência de erros de retenção. Além disso, são apresentadas sugestões de aplicações que podem colher algum benefício do uso desta técnica.
Tipo Trabalho de conclusão de graduação
URI http://hdl.handle.net/10183/147614
Arquivos Descrição Formato
000999749.pdf (1.854Mb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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