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Caracterização por microscopia eletrônica de transmissão e microanálise com raios-x de filmes dielétricos crescidos termicamente sobre carbeto de silício

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Caracterização por microscopia eletrônica de transmissão e microanálise com raios-x de filmes dielétricos crescidos termicamente sobre carbeto de silício

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Título Caracterização por microscopia eletrônica de transmissão e microanálise com raios-x de filmes dielétricos crescidos termicamente sobre carbeto de silício
Autor Rosa, Aline Tais da
Orientador Stedile, Fernanda Chiarello
Data 2008
Nível Graduação
Instituição Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Instituto de Química. Curso de Química: Bacharelado.
Assunto Carbeto de silicio
Semicondutores
Resumo A busca de materiais alternativos ao silício representa uma prioridade na pesquisa para a Micro e a Nanoeletrônicas. Dentre os semicondutores possíveis, o carbeto de silício (SiC) encontra-se em destaque porque, além de apresentar propriedades adequadas, é o único sobre o qual é possível crescer termicamente um filme dielétrico de dióxido de silício (SiO2). Desse modo, permite que parte da tecnologia já desenvolvida para a utilização de SiO2 em dispositivos a base de silício possa ser adaptada para os dispositivos à base de carbeto de silício. No presente trabalho, foram obtidas amostras a partir de frações de lâminas de SiC monocristalino, que foram tratadas termicamente em reator clássico, aquecido por efeito Joule, sob pressão estática em atmosfera de oxigênio seco, a fim de crescer um filme de SiO2 sobre o substrato de SiC. Obtidas essas estruturas, foi necessário estabelecer um procedimento específico para o preparo das amostras de SiO2/SiC para posterior análise por microscopia eletrônica de transmissão (TEM, na sigla em inglês). Essa metodologia determinada foi diferente da convencional usada para substratos de silício, pois o abrasivo normalmente usado nas primeiras etapas de preparo das amostras é o próprio carbeto de silício, que tem dureza, na escala Mohs, intermediária entre o coríndon e o diamante. Depois de estabelecida a metodologia de preparo das amostras, foi realizada a visualização, por TEM e, através de imagens de alta resolução, foi observada a interface abrupta (~1 nm) entre o SiO2 e o SiC. A caracterização elementar e a verificação da formação do filme dielétrico foi realizada por microanálise com raios-X (EDX), utilizando um espectrômetro de dispersão em energia, confirmando a pureza química da estrutura SiO2/SiC.
Tipo Trabalho de conclusão de graduação
URI http://hdl.handle.net/10183/16152
Arquivos Descrição Formato
000673549.pdf (2.574Mb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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