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dc.contributor.advisorSchreiner, Wido Herwigpt_BR
dc.contributor.authorStedile, Fernanda Chiarellopt_BR
dc.date.accessioned2007-06-06T17:18:36Zpt_BR
dc.date.issued1993pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/1832pt_BR
dc.description.abstractEsta tese trata de filmes finos de materiais dielétricos depositados por sputtering reativo e crescidos termicamente que são analisados por métodos de feixes de íons. Como introdução aos nossos trabalhos, são abordados os princípios da deposição por sputtering com corrente contínua, com rádio-freqüências e em atmosferas reativas. Além disso, são apresentados os princípios de crescimento térmico em fornos clássicos e em fornos de tratamento térmico rápido. Também são descritos em detalhe os métodos análiticos de espectropia de retroespalhamento Rutheford e reações nucleares ressonantes e não-ressonantes para medir as quantidades totais e os perfis de concentração em função da profundidade dos vários isótopos utilizados, bem como o método de difração de raios-X. No que concerne à deposição por sputtering reativo de filmes finos de nitreto de silicio, nitreto de alumínio e nitreto duplo de titânio e alumínio, são estudados os processos de deposição, são caracterizados os filmes desses materiais e são estabelecidas correlações entre características dos filmes e os parâmetros de deposição. Quanto ao crescimento térmico em atmosferas reativas de filmes muito finos de óxido, nitreto e oxinitreto de sílicio, são apresentados modelos para o crescimento dos filmes de óxido de sílicio, é estudada a influência da limpeza do substrato de sílicio nos mecanismos de crescimento dos filmes de óxido de sílicio e são elucidados aspectos dos mecanismos de nitretação térmica do sílicio e de filmes de óxido de sílicio.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectFísica da matéria condensadapt_BR
dc.subjectFilmes finos dieletricospt_BR
dc.subjectSputteringpt_BR
dc.subjectFilmes finospt_BR
dc.subjectQuímica : Materiaispt_BR
dc.titleAnálise por feixes de íons de filmes finos dielétricos depositados por sputtering reativo e crescidos termicamentept_BR
dc.typeTesept_BR
dc.contributor.advisor-coFreire Junior, Fernando Lazaropt_BR
dc.identifier.nrb000220240pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Físicapt_BR
dc.degree.programCurso de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date1993pt_BR
dc.degree.leveldoutoradopt_BR


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