Análise do impacto de NBTI e RTS em células SRAM e portas lógicas

Abstract

Este trabalho tem por objetivo analisar o impacto causado no atraso de propagação de portas lógicas e a probabilidade de falhas em células de memória estáticas de acesso aleatório (SRAM) devido a Negative Bias Temperature Instability (NBTI) e ao Randon Telegraph signal (RTS). As analises são baseadas nos resultados de simulações elétricas que se utilizam de modelos teóricos dos efeitos, também apresentados neste trabalho. Ao final do trabalho é feita uma comparação entre o impacto destes dois efeitos nos dois tipos de circuitos simulados.

This project aims to analyze the impact of Negative Bias Temperature Instability (NBTI) and Random Telegraph Signal (RTS) on propagation delay of logic gates and on failure probability of static random access memory (SRAM). The analysis is based on electrical simulations, which employs theoretical models for these effects, which are also presented on this project. In the end of the manuscript is presented a comparison between the impact of the effects in both of the circuit types analyzed in the project.