Ruído RTS em osciladores em anel

Abstract

Nesse trabalho foram estudados os efeitos da captura e emissão de portadores em armadilhas (traps) situadas na interface do silício com o dióxido de silício, chamado RTS (Random Telegraph Signal). Será apresentado um breve estudo teórico da física que envolve a captura emissão de portadores e do impacto das traps na corrente de dreno DS I . Após, a teoria demonstrada será utilizada na análise e simulação de osciladores em anel single-ended. Por fim, conclusões a respeito do ruído causado pelo efeito RTS, nos transistores do circuito oscilador, serão feitas.

In this work was studied the effects of carriers capture and emission by traps located at the silicon and silicon dioxide interface, called RTS (Random Telegraph Signal). Will be presented a brief theoretical study of the physics behind carrier capture and emission and its impacts on drain current DS I . The theory presented will be utilized in the analysis and simulation of single-ended ring oscillators. After all, the conclusions of the RTS noise in the ring oscillator transistors will be done.