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dc.contributor.advisorBoudinov, Henri Ivanovpt_BR
dc.contributor.authorMattos, Antônio Eudócio Pozo dept_BR
dc.date.accessioned2011-01-08T06:01:18Zpt_BR
dc.date.issued2010pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/27323pt_BR
dc.description.abstractAnalisamos o efeito da irradiação de íons sobre a resistência elétrica de amostras de nanotubos de carbono e nanocamadas de grafeno depositadas sobre contatos elétricos de tungstênio depositados sobre uma lâmina de silício oxidado. A caracterização inicial da resistência das amostras foi feita com medidas da corrente, através das estruturas, como função da tensão aplicada (I-V). Para isolação das amostras foi usado um feixe de íons de neônio com 100 keV de energia até doses de 1x1016cm-2. O acompanhamento da variação da resistência em função da dose foi realizado in-situ. Foi observado um aumento de até duas ordens de grandeza da resistência e logo após o pico de máxima resistência, um decréscimo significativo da mesma, caracterizando a contribuição da condução hopping. Medidas de resistência em função da temperatura foram feitas em um intervalo de 22K a 300K para comprovar a contribuição da condução hopping na condutividade elétrica. As especificidades das condições de medida elétrica destas estruturas foram discutidas.pt_BR
dc.description.abstractWe have analyzed the effects of ion irradiation on the electrical resistance of Carbon Nanotubes and Graphene Nanolayers. The samples were deposited on Silicon wafers with a top Silicon oxide layer with a thickness of 300nm, and the contacts were made of tungsten. The initial characterization was done by I-V measurements. The electrical isolation of the structures was done by using 100keV Ne+ ions with doses up to 1x1016cm-2. The measurement of resistance as a function of the implanted dose was made in-situ. We report a resistance increasing of two orders of magnitude and after reaching the maximum value, the samples show a fast decrease of the resistance. That behavior is a characteristic of hopping conduction. We also show measurements of the resistance as a function of the temperature, in a range of 22K to 300K to confirm the hopping conduction. Finally, some specific conditions of the electrical measurements of these structures have been discussed.en
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectCiência dos materiaispt_BR
dc.subjectNanotubos de carbonopt_BR
dc.subjectMateriais nanoestruturadospt_BR
dc.titleEfeitos da irradiação de ínos [i.e. íons] sobre as propriedades elétricas de nanotubos de carbono e nanocamadas de grafenopt_BR
dc.typeTrabalho de conclusão de graduaçãopt_BR
dc.identifier.nrb000764473pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Físicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date2010pt_BR
dc.degree.graduationFísica: Bachareladopt_BR
dc.degree.levelgraduaçãopt_BR


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