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Statistical model for the circuit bandwidth dependence of low-frequency noise in deep-submicrometer MOSFETs

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Statistical model for the circuit bandwidth dependence of low-frequency noise in deep-submicrometer MOSFETs

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Título Statistical model for the circuit bandwidth dependence of low-frequency noise in deep-submicrometer MOSFETs
Autor Wirth, Gilson Inacio
Silva, Roberto da
Brederlow, Ralf
Abstract This paper covers measurement, analytical analysis, and Monte Carlo simulation of the frequency and bandwidth dependence of MOSFET low-frequency (LF) noise behavior. The model is based on microscopic device physics parameters, which cause statistical variation in the LF noise behavior of individual devices. Analytical equations for the statistical parameters are provided. The analytical model is compared to experimental data and Monte Carlo simulation results.
Contido em IEEE transactions on electron devices. New York, NY. vol. 54, no. 2 (Feb. 2007), p. 340-345
Assunto Circuitos analogicos
Engenharia elétrica
Microeletronica
Mosfet
Simulação computacional
[en] Analog circuits
[en] Low-frequency (LF) noise
[en] MOS transistors
[en] Noise modeling
[en] RF circuits
[en] Variability
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/27583
Arquivos Descrição Formato
000581798.pdf (201.4Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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