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dc.contributor.advisorStedile, Fernanda Chiarellopt_BR
dc.contributor.authorPitthan Filho, Eduardopt_BR
dc.date.accessioned2011-04-12T06:00:22Zpt_BR
dc.date.issued2010pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/28610pt_BR
dc.description.abstractNa busca de um semicondutor adequado para substituir o Si em dispositivos micro e nanoeletrônicos em aplicações que exijam alta freqüência, alta potência e/ou alta temperatura, o carbeto de silício (SiC) aparece como uma opção, pois, além de apresentar propriedades adequadas, pode-se crescer termicamente um filme de SiO2 de maneira análoga ao Si. Assim, toda a tecnologia já existente em dispositivos a base de Si poderiam ser utilizadas no caso do SiC. No entanto, MOSFETs (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor) baseados em SiC ainda não alcançaram sua potencialidade máxima devido ao alto número de defeitos eletricamente ativos na região interfacial SiO2/SiC, atribuídos parcialmente a compostos denominados oxicarbetos de silício (SiCxOy). Para que esses dispositivos MOS alcancem suas potencialidades, uma maior compreensão das propriedades físico-químicas e elétricas da região interfacial é necessária. Neste trabalho, investigou-se o efeito de etapas seqüenciais de remoção do filme dielétrico/oxidação em amostras sobre SiC, intercaladas ou não com tratamentos com peróxido de hidrogênio, na região interfacial entre o dielétrico e o semicondutor e na taxa de crescimento do filme de SiO2 formado. Observou-se que a taxa de crescimento do filme de SiO2 e a região interfacial SiO2/SiC não são afetados pelo número de remoções/oxidações do filme de SiO2. Porém, intercalando esse processo com tratamentos em peróxido de hidrogênio, observa-se uma dependência na região interfacial e no crescimento do filme de SiO2 com o número de tratamentos realizados na face Si do SiC. Por outro lado, tal dependência não é observada na face C do SiC.pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectCarbeto de silíciopt_BR
dc.subjectTratamento térmicopt_BR
dc.subjectPeróxido de hidrogêniopt_BR
dc.titleEfeito de reoxidações e de tratamentos térmicos com peróxido de hidrogênio na região interfacial SiO2/SiCpt_BR
dc.typeTrabalho de conclusão de graduaçãopt_BR
dc.identifier.nrb000770946pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Químicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date2010pt_BR
dc.degree.graduationQuímica: Bachareladopt_BR
dc.degree.levelgraduaçãopt_BR


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