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dc.contributor.advisorBehar, Monipt_BR
dc.contributor.authorGrande, Pedro Luispt_BR
dc.date.accessioned2011-06-22T06:00:04Zpt_BR
dc.date.issued1989pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/29703pt_BR
dc.description.abstractNeste trabalho estudamos experimentalmente, através da técnica de retroespalhamento de Rutherford, a distribuição de vários elementos C295. 2.15 83) implantados em filmes de Be, C e SiOz, na faixa de energia entre 10 e 400keV. Os resultados experimentais foram comparados com as predições teóricas desenvolvidas por Ziegler. Biersack e Littmark C2BL). Nossos resultados apresentam várias características distintas: para substratos de SiOz, obtivemos um acordo muito bom entre valores teóricos e experimentais do alcance projetado Rp e alguns desvios na largura do perfil de implantação ARp. Contudo, para os alvos de C e Be. encontramos grandes discrepâncias com os cálculos de ZBL. Para Bi, Pb, Au, Yb, Er, Eu e Cu em C e para Bi, Pb e Cu em Be. os valores experimentais de alcance excedem os teóricos em mais de 40%, ficando em média entre 25 e 30%. As diferenças são praticamente independentes da energia de implantação. Além disso, as larguras longitudinais do perfil de implantação também são fortemente subestimadas pelos cálculos Cchegando até a um fator 2). É mostrado que esses desacordos não podem ser atribuídos a imprecisões no potencial elástico ZBL ou ao poder de freamento eletrônico ZBL. Entretanto, se considerarmos a inclusão de colisões inelásticas no cálculo do poder de freamento nuclear, o poder de freamento total pode ser significativamente reduzido, nos casos de íons pesados incidindo em alvos leves. Como conseqüência deste tratamento, conseguimos obter um excelente acordo com os nossos resultados experimentais.pt_BR
dc.description.abstractWe have experimentally studied by using the Rutherford backscattering technique the range profiles of a variety of elements C29 5. 214 <83) implanted into Be, C and SiOz films at energies ranging from 10 to 400keV. The experimental results were compared with the predictions developed by Ziegler, Biersack and Littmark CZBL). Our results show several distinct features : for SiOz substrates , we have obtained an overall good agreement between the theoretical and experimental values of the projected ranges CRO and some deviations in the projected range stragglings CàRp). Instead for C and Be targets, we have found large discrepancies with the ZBL calculations. In fact, for Pb, Bi, Au, Yb, Er, Eu and Cu into C film and for Bi, Pb and Cu into Be film, the experimental range values exceed the theoretical oves by as much as 40% and on average around 25-30% . The differences are independent of the implantation energy. In addition, the range stragglings are also strongly under-estimated by the calculations Creaching up to a factor 2). It is shown that this disagreements can not be attributed to inaccuracies of the ZDL elastic potential or to the 2BL electronic stopping power. However if we consider the inclusion of inelastic collisions in the calculation of the nuclear stopping power, the total stopping power and the scattering angles CC.M. system) can be significantly reduced, mainly in the case of heavy ions impinging into light targets. As a consequence of this treatment, we have obtained an excellent agreement with our experimental data.en
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectImplantação de íonspt_BR
dc.titleEstudo do alcance de íons pesados (29 menor ou igual Z1 menor ou igual 83) em alvos de berílio, carbono e dióxido de silíciopt_BR
dc.typeTesept_BR
dc.identifier.nrb000014588pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Físicapt_BR
dc.degree.programCurso de Pós-Graduação em Físicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date1989pt_BR
dc.degree.leveldoutoradopt_BR


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