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Estudo do crescimento de filmes de carbono sobre silício devido à irradiação com feixes de H e He

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Estudo do crescimento de filmes de carbono sobre silício devido à irradiação com feixes de H e He

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Título Estudo do crescimento de filmes de carbono sobre silício devido à irradiação com feixes de H e He
Autor Mörscbächer, Marcio José
Orientador Behar, Moni
Data 2001
Nível Mestrado
Instituição Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Instituto de Física. Curso de Pós-Graduação em Física.
Assunto Carbono
Densidade
Feixes de íons
Gás
Hélio
Hidrogenio
Impurezas
Ions
Poder de freamento eletronico
Pressao
Retroespalhamento rutherford
Silicio
Temperatura
Resumo É bem conhecido que técnicas experimentais que fazem uso de feixes iônicos induzem sobre a superfície dos alvos irradiados o depósito de diversos tipos de impurezas. Este depósito é causado pelas interações entre o feixe de íons, as moléculas de gás residual no interior das câmaras de irradiação e a superfície da amostra. Apesar do fato deste processo poder alterar significativamente os parâmetros de irradiações, bem como afetar a análise de materiais tratados, os parâmetros experimentais que influenciam na deposição das impurezas ainda não são bem conhecidos e nem o depósito se encontra suficientemente quantificado. No presente trabalho relatamos um estudo quantitativo da deposição de carbono sobre amostras de Si (100) irradiadas com feixes de He e H. A deposição de carbono foi determinada em função da fluência de irradiação, variando diversos parâmetros experimentais, tais como: pressão na câmara de irradiação, temperatura do alvo, densidade de corrente do feixe, energia do feixe e o estado da carga do íon. Em todos os casos a análise das amostras irradiadas foi feita pela técnica de Retroespalhamento de Rutherford em direção Canalizada (RBS/C) e através da reação nuclear ressonante 12C(a, a´)12C na energia de 4265 keV. Os resultados experimentais mostram que se consegue minimizar a deposição de C através: a) da redução do tempo de irradiação, b) da redução da pressão na câmara de irradiação, c) do aumento da temperatura do alvo durante a irradiação e d) minimização do poder de freamento do íon no alvo.
Tipo Dissertação
URI http://hdl.handle.net/10183/3312
Arquivos Descrição Formato
000335891.pdf (777.9Kb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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