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Extração de parâmetros de transistores MOS irradiados

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Extração de parâmetros de transistores MOS irradiados

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Evento Salão de Iniciação Científica (22. : 2010 out. 18-22 : UFRGS, Porto Alegre, RS).
Título Extração de parâmetros de transistores MOS irradiados
Autor Marimon, Gabriel Cunha
Orientador Wirth, Gilson Inacio
Contido em Salão de Iniciação Científica (22. : 2010 out. 18-22 : Porto Alegre, RS). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 2010.
Sessão Engenharia elétrica ii
Temática Engenharia elétrica
Assunto Engenharias
Engenharia
Tipo Resumo publicado em evento
URI http://hdl.handle.net/10183/44941
Arquivos Descrição Formato
Resumo_7857.pdf (1.942Kb) Resumo Adobe PDF Visualizar/abrir
Poster_7857.pdf (305.6Kb) Pôster Adobe PDF Visualizar/abrir

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