Navegação Física por Assunto "Análise por reação nuclear"
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Estabilidade de filmes de GeOxNy crescidos termicamente sobre Ge
(2015) [Dissertação]A instabilidade térmica do óxido de germânio (GeO2) é um obstáculo à utilização de germânio (Ge) como material semicondutor em dispositivos MOSFET. Essa instabilidade é induzida por vacâncias de oxigênio originadas de uma ... -
Físico-química do hidrogênio em óxidos e silicatos de háfnio para aplicação como dielétrico de porta
(2008) [Tese]Após quatro décadas de sucesso do SiO2 (e SiOxNy), as novas gerações de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor utilizarão dielétricos de porta de materiais alternativos, dentre os quais se destacam o óxido ...