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Investigação da cinética de crescimento térmico de filmes de SiO2 sobre substratos de 4H- e 6H-SiC

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Investigação da cinética de crescimento térmico de filmes de SiO2 sobre substratos de 4H- e 6H-SiC

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Evento Salão de Iniciação Científica (22. : 2010 out. 18-22 : UFRGS, Porto Alegre, RS).
Título Investigação da cinética de crescimento térmico de filmes de SiO2 sobre substratos de 4H- e 6H-SiC
Autor Lopes, Luana Dezingrini
Orientador Stedile, Fernanda Chiarello
Contido em Salão de Iniciação Científica (22. : 2010 out. 18-22 : Porto Alegre, RS). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 2010.
Sessão Química de materiais
Temática Química de materiais
Assunto Ciências exatas e da terra
Química
Tipo Resumo publicado em evento
URI http://hdl.handle.net/10183/46532
Arquivos Descrição Formato
Resumo_6448.pdf (56.88Kb) Resumo Adobe PDF Visualizar/abrir
Poster_6448.pdf (173.0Kb) Pôster Adobe PDF Visualizar/abrir

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