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Influência do politipo na interface SiO2/SiC e na cinética de oxidação de filmes de SiO2 sobre substratos de 4H- e 6H-SiC

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Influência do politipo na interface SiO2/SiC e na cinética de oxidação de filmes de SiO2 sobre substratos de 4H- e 6H-SiC

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Evento Salão de Iniciação Científica (23. : 2011 out. 3-7 : UFRGS, Porto Alegre, RS).
Título Influência do politipo na interface SiO2/SiC e na cinética de oxidação de filmes de SiO2 sobre substratos de 4H- e 6H-SiC
Autor Lopes, Luana Dezingrini
Orientador Stedile, Fernanda Chiarello
Sessão Química de materiais ii
Temática Química de materiais
Assunto Ciências exatas e da terra
Química
Tipo Resumo publicado em evento
URI http://hdl.handle.net/10183/47540
Arquivos Descrição Formato
Resumo_9653.pdf (14.88Kb) Resumo Adobe PDF Visualizar/abrir
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