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Metodologia de caracterização de transistores mos em tecnologia 0.35um

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Metodologia de caracterização de transistores mos em tecnologia 0.35um

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Evento Salão de iniciação Científica (17. : 2005 out. 17-21 : UFRGS, Porto Alegre, RS).
Título Metodologia de caracterização de transistores mos em tecnologia 0.35um
Autor Conrad Junior, Eduardo
Cortes, Fernando Paixão
Paula, Luciano de
Orientador Bampi, Sergio
Contido em Salão de iniciação Científica (17. : 2005 : Porto Alegre, RS). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 2005.
Sessão Microeletrônica
Assunto Ciências exatas e da terra
Tipo Resumo publicado em evento
URI http://hdl.handle.net/10183/59414
Arquivos Descrição Formato
Resumo_200501110.pdf (10.73Kb) Resumo Adobe PDF Visualizar/abrir

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