Análise de falhas em uma memória PSRAM por efeitos de dose total ionizante

Abstract

Este relatório apresenta o trabalho desenvolvido durante a disciplina Projeto de Diplomação do Curso de Engenharia Elétrica da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. O objetivo deste trabalho é descrever os efeitos da dose total ionizante em uma memória PSRAM comercial. Circuitos típicos deste tipo de memória foram abordados, bem como conceitos básicos de TID e de organização de memória. Simulações dos efeitos de dose total foram realizadas e os resultados comparados ao resultado experimental de um teste de irradiação realizado no LRI/IEAv.

This document presents the work developed in the final project of the graduation in Electrical Engineering at Universidade Federal do Rio Grande do Sul. The purpose of this work is to analyse the effects of the total ionizing dose on a commercial PSRAM memory for aerospace applications. Typical memory circuits were covered, as well as basic concepts of the TID and of memory organization. Simulation of the TID were performed on typical memory circuits and compared to the experimental results of an irradiation test carried out at LRI/IEAv.