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Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição

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Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição

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Título Desenvolvimento e otimização de um fotodetector de silício bidimensional sensível à posição
Autor Silva, Ricardo Cunha Gonçalves da
Orientador Boudinov, Henri Ivanov
Co-orientador Correia, Ricardo Rego Bordalo
Data 2004
Nível Mestrado
Instituição Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Instituto de Física. Programa de Pós-Graduação em Ensino de Física.
Assunto Fotodetectores
Junções p-n
Microeletronica
Otica
Potencial eletrico
Semicondutores
Sensores oticos
Silicio
Resumo O conhecimento da física de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um sensor ótico de silício capaz de determinar com precisão a posição bidimensional de incidência de um feixe de luz em sua superfície. O sensor usa o efeito de fototensão lateral para gerar um sinal elétrico de saída que é função da posição de incidência da luz. Tecnologia planar do silício foi usada na fabricação do dispositivo, incluindo implantação iônica, difusão, fotolitografia, deposição de filmes metálicos e crescimento de dielétricos. A caracterização elétrica do sensor inclui medidas estáticas, com a distribuição de portadores em regime estacionário, medidas dinâmicas, onde é analisado o transiente do sinal elétrico e medidas espectroscópicas para analisar a resposta do sensor em função do comprimento de onda da luz incidente. Simulações dos processos de fabricação, parâmetros dos passos tecnológicos, distribuição dos portadores e do potencial elétrico bidimensional no sensor foram usadas para a otimização das características do sensor.
Tipo Dissertação
URI http://hdl.handle.net/10183/7461
Arquivos Descrição Formato
000545418.pdf (1.811Mb) Texto completo Adobe PDF Visualizar/abrir

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