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dc.contributor.authorReboh, Shaypt_BR
dc.contributor.authorFichtner, Paulo Fernando Papaleopt_BR
dc.date.accessioned2013-08-10T01:48:59Zpt_BR
dc.date.issued2001pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/76875pt_BR
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoporpt_BR
dc.relation.ispartofSalão de Iniciação Científica (13. : 2001 : Porto Alegre). Livro de resumos. Porto Alegre : UFRGS, 2001.pt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectFísicapt_BR
dc.titleRelaxação de "buffer layers" de SiGe em Si(100) através de implantação iônica de héliopt_BR
dc.typeResumo publicado em eventopt_BR
dc.contributor.eventSalão de iniciação Científica (13. : 2001 out. 22-26 : UFRGS, Porto Alegre, RS).pt_BR
dc.identifier.nrb000316116pt_BR
dc.subject.sessionEngenharia – Metalurgia e de Materiais Ipt_BR
dc.subject.cnpqEngenhariaspt_BR
dc.description.number064pt_BR
dc.type.originNacionalpt_BR


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