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dc.contributor.advisorAzevedo, Gustavo de Medeirospt_BR
dc.contributor.authorAntonio, Viviane Peçanhapt_BR
dc.date.accessioned2013-09-10T01:46:26Zpt_BR
dc.date.issued2012pt_BR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10183/77897pt_BR
dc.description.abstractO objetivo deste trabalho é estudar a estrutura local de semicondutores amofizados via implantação iônica. Utilizaremos a região de EXAFS de espectros de absorção de raios-x para identificar as modificações induzidas nos materiais devido ao processo de amorfização, como o surgimento de ligações homopolares, mudanças nos números de coordenação e na distribuição estatística de distâncias interatômicas. Além disso, analisaremos os defeitos relacionados ao processo de relaxação estrutural decorrente do surgimento de configurações metaestáveis na estrutura do semicondutor, com base em medições de EXAFS na amostra tratada termicamente em temperaturas diferentes, até sua consequente recristalização. Por fim, queremos saber como a urgência de implantação influência o grau de amorfização das amostras.pt_BR
dc.description.abstractThe aim of this work is to study the local structure of binary semiconductors amorphised by ion implantation. We use EXAFS spectra to identify structural disorder induced by ion-implantation into the material, such as homopolar bonding, under/overcoordination and the broadening of the distribution of interatomic distances. In addition, we analyze the defects associated with the structural relaxation resulting from con gurations with different metastabilities on semiconductor structure, based on EXAFS measurements of the annealed sample at di erent temperatures up to its consequent recrystallization. Finally, we want to characterize how the implantation uence in uences the degree of amorphisation of the samples.en
dc.format.mimetypeapplication/pdfpt_BR
dc.language.isoporpt_BR
dc.rightsOpen Accessen
dc.subjectImplantacao ionicapt_BR
dc.subjectEspectros de absorção de raios-xpt_BR
dc.subjectSemicondutorespt_BR
dc.subjectAmorfizacaopt_BR
dc.subjectEstrutura fina estendida de absorção de raios x (EXAFS)pt_BR
dc.titleEstrutura do InP amorfo obtido por implantação iônicapt_BR
dc.typeTrabalho de conclusão de graduaçãopt_BR
dc.identifier.nrb000897983pt_BR
dc.degree.grantorUniversidade Federal do Rio Grande do Sulpt_BR
dc.degree.departmentInstituto de Físicapt_BR
dc.degree.localPorto Alegre, BR-RSpt_BR
dc.degree.date2012pt_BR
dc.degree.graduationPesquisa Básica: Bachareladopt_BR
dc.degree.levelgraduaçãopt_BR


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