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SiO2 films on 4H-SiC : reducing interface electrical degradation due to thermal oxidation

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SiO2 films on 4H-SiC : reducing interface electrical degradation due to thermal oxidation

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Título SiO2 films on 4H-SiC : reducing interface electrical degradation due to thermal oxidation
Autor Pitthan Filho, Eduardo
Corrêa, Silma Alberton
Palmieri, Rodrigo
Soares, Gabriel Vieira
Boudinov, Henri Ivanov
Stedile, Fernanda Chiarello
Contido em Brazilian-German Workshop on Applied Surface Science (8. : 2013 Sept. 15-20 : Bamberg, Alemanha). Book of Abstracts. [S.l. : s.n., 2013]
Assunto Carboneto de silício
Oxidação térmica
Origem Estrangeiro
Tipo Resumo publicado em evento
URI http://hdl.handle.net/10183/83616
Arquivos Descrição Formato
000902871.pdf (56.31Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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