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Lift-off protocols for thin films for use in EXAFS experiments

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Lift-off protocols for thin films for use in EXAFS experiments

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Título Lift-off protocols for thin films for use in EXAFS experiments
Autor Decoster, S.
Glover, C. J.
Johannessen, B.
Giulian, Raquel
Sprouster, David J.
Kluth, Patrick
Araújo, Leandro Langie
Hussain, Zohair S.
Schnohr, Claudia S.
Salama, H.
Kremer, Felipe
Temst, Kristiaan
Vantomme, A.
Ridgway, M.C.
Abstract Lift-off protocols for thin films for improved extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) measurements are presented. Using wet chemical etching of the substrate or the interlayer between the thin film and the substrate, standalone high-quality micrometer-thin films are obtained. Protocols for the singlecrystalline semiconductors GeSi, InGaAs, InGaP, InP and GaAs, the amorphous semiconductors GaAs, GeSi and InP and the dielectric materials SiO2 and Si3N4 are presented. The removal of the substrate and the ability to stack the thin films yield benefits for EXAFS experiments in transmission as well as in fluorescence mode. Several cases are presented where this improved sample preparation procedure results in higher-quality EXAFS data compared with conventional sample preparation methods. This lift-off procedure can also be advantageous for other experimental techniques (e.g. small-angle X-ray scattering) that benefit from removing undesired contributions from the substrate.
Contido em Journal of synchrotron radiation. Copenhagen. Vol. 20, no. 3 (May 2013), p. 426-432
Assunto Arseneto de galio
Compostos de indio
Compostos de silício
Crescimento de semicondutores
EXAFS
Filmes finos dieletricos
Filmes finos semicondutores
Semicondutores amorfos
[en] Dielectric
[en] Lift-off
[en] Semiconductor
[en] Thin film
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/94424
Arquivos Descrição Formato
000897160.pdf (1.128Mb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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