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Thermally-driven H interaction with HfO2 films deposited on Ge(100) and Si(100)

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Thermally-driven H interaction with HfO2 films deposited on Ge(100) and Si(100)

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Título Thermally-driven H interaction with HfO2 films deposited on Ge(100) and Si(100)
Autor Soares, Gabriel Vieira
Feijó, Tais Orestes
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Aguzzoli, Cesar
Krug, Cristiano
Radtke, Claudio
Abstract In the present work, we investigated the thermally-driven H incorporation in HfO2 films deposited on Si and Ge substrates. Two regimes for deuterium (D) uptake were identified, attributed to D bonded near the HfO2/substrate interface region (at 300 C) and through the whole HfO2 layer (400–600 C). Films deposited on Si presented higher D amounts for all investigated temperatures, as well as, a higher resistance for D desorption. Moreover, HfO2 films underwent structural changes during annealings, influencing D incorporation. The semiconductor substrate plays a key role in this process.
Contido em Applied physics letters. New York. Vol. 104, no. 4 (Jan. 2014), p. 042901-1-042901-4
Assunto Germânio
Hidrogenio
Óxido de háfnio
Propriedades fisico-quimicas
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/94805
Arquivos Descrição Formato
000913540.pdf (741.5Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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