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Thermal behavior and range distribution of 209bi implanted the into ai/v bilayer structure

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Thermal behavior and range distribution of 209bi implanted the into ai/v bilayer structure

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Título Thermal behavior and range distribution of 209bi implanted the into ai/v bilayer structure
Autor Olivieri, Carlos Alberto
Behar, Moni
Grande, Pedro Luis
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Zawislak, Fernando Claudio
Biersack, J.P.
Fink, Dietmar
Abstract 350-keV 209Bi + was implanted into an A1 (1000 Å)/V bilayer system. The Bi depth distribution measured by Rutherford backscattering agrees well with predictions obtained via the Monte-Carlo simulation method (TRIM code). Diffusion coefficients for Bi in both the V substrate of the AI/V system and the pure V foil are extracted after thermal annealings in a temperature range between 200 and 700 °c. The results show that the Ri ions follow a hindered diffusion at the Al film of the AI/V bilayer and for temperatures higher than 580 °C diffuse regularly in the V bulk.
Contido em Journal of applied physics. Woodbury. Vol. 63, no. 9 (May 1988), p. 4431-4434
Assunto Implantacao de ions
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95117
Arquivos Descrição Formato
000014851.pdf (680.9Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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