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Implanted boron depth profiles in the az111 photoresist

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Implanted boron depth profiles in the az111 photoresist

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Título Implanted boron depth profiles in the az111 photoresist
Autor Guimaraes, Renato Bastos
Amaral, Livio
Behar, Moni
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Zawislak, Fernando Claudio
Abstract The isotope 1OB has been implanted into the photoresist AZll1 in the 30–150 keV energy range. The corresponding depth profiles have been analyzed using the 1OB(n,a) 7 Li reaction. At 60 keV, the profile changes from a regular shape to one with an additional tail directed towards the surface. Despite the nonregular shape of the ion distributions, it is possible to extract the characteristic range parameters such as projected range Rp, most probable range ^R, and full width at half-maximum. Good agreement is found between the experimental results and the calculations by Ziegler, Biersack, and Littmark (ZBL), It is also shown that the tail distribution follows closely the ZBL calculated ionization profiles. A tentative explanation of this behavior is given.
Contido em Journal of Applied Physics. Woodbury. Vol. 63, no. 6 (Mar. 1988), p. 2083-2085
Assunto Implantacao de ions
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95119
Arquivos Descrição Formato
000014863.pdf (524.1Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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