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Structure and composition of amorphous Ge1-xSnx thin films

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Structure and composition of amorphous Ge1-xSnx thin films

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Título Structure and composition of amorphous Ge1-xSnx thin films
Autor Chambouleyron, I.
Souza, Joel Pereira de
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Marques, F.C.
Abstract The composition and bonding configuration of amorphous germanium-tin (a-Gel 1--xSnx ) thin films are reported (O≤x < 0.3). Mössbauer spectroscopy analyses show that under the reported deposition conditions all tin atoms enter the a-Ge network in a perfect substitutional way, i.e., in a covalent tetrahedral configuration. The absence of defect structures in the tin sites is discussed and compared with results on films prepared under different conditions.
Contido em Journal of Applied Physics. Woodbury. Vol. 63, no. 11 (June, 1988), p. 5596-5598
Assunto Efeito mossbauer
Filmes finos
Implantacao de ions
Semicondutores amorfos
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95121
Arquivos Descrição Formato
000014877.pdf (561.1Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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