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Recrystallization behavior of silicon implanted with iron

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Recrystallization behavior of silicon implanted with iron

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Título Recrystallization behavior of silicon implanted with iron
Autor Souza, Joel Pereira de
Amaral, Livio
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Abstract The solid phase epitaxial growth (SPEG) of amorphized Si layers implanted with Fe (1 X 1015 cm-², 100 keV) was investigated in the temperature range from 500 to 550 °C using Rutherford backscattering spectrometry. The push-out of Fe atoms by the moving amorphous-crystalline (a-c) interface was observed during annealing, and enhancement of the recrystallization rate was induced by the presence of Fe. These results are discussed in terms of a model that assumes that Fe atoms are trapped in the amorphous layer and releasedw hen they are reached by the moving a-c interface during the SPEG process.
Contido em Journal of Applied Physics. Woodbury. Vol. 71, n. 11 (June 1992), p. 5423-5426
Assunto Fisica da materia condensada
Implantacao de ions
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95344
Arquivos Descrição Formato
000056039.pdf (590.0Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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