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Electrical Activation of Bismuth Implanted Into Silicon by Rapid Thermal Annealing and Kinetics of Defects

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Electrical Activation of Bismuth Implanted Into Silicon by Rapid Thermal Annealing and Kinetics of Defects

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Título Electrical Activation of Bismuth Implanted Into Silicon by Rapid Thermal Annealing and Kinetics of Defects
Autor Souza, Joel Pereira de
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Abstract The rapid thermal annealing (RTA) of Si implanted with Bi+, to a dose of 5.0~x1014 cm-² at the energy of 150 keV, was investigated using sheet resistivity, Hall measurements, and channeling analysis. Approximately 95% of the Bi dose is found substitutional and 90% is electrically active after annealing is performed at 600 °C for times longer than 1 min. The electrical activation yield of Bi after RTA at temperatures ≥700 °C is observed to decrease when increasing the temperature and time of the annealing process. The data taken from electrical measurements and angular scan across the (100) axis are evidence that the electrically inactive concentration of the Bi correlates with the concentration of Bi atoms located slightly displaced from the crystal rows.
Contido em Journal of Applied Physics. Woodbury. Vol. 74, n. 1 (July 1993), p. 119-122
Assunto Fisica da materia condensada
Implantacao de ions
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95347
Arquivos Descrição Formato
000056743.pdf (553.0Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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