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Dopants redistribution during titanium-disilicide formation by rapid thermal processing

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Dopants redistribution during titanium-disilicide formation by rapid thermal processing

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Título Dopants redistribution during titanium-disilicide formation by rapid thermal processing
Autor Pasa, Andre Avelino
Souza, Joel Pereira de
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Freire Junior, Fernando Leite
Abstract Redistribution of implanted As (5 X 10 15 cm-², 150 keV) and Sb ( 1 X 10 15 cm-², 200 keV) due to TiSi2 formation by rapid thermal processing was investigated by means of backscattering spectroscopy. By choosing properly the rapid thermal processing parameters, low resistance uniform silicides layers (typically 14 μΩ cm) were obtained, and dopant loss by out-diffusion and redistribution of the dopant were made negligible. High peak concentrations of dopant within silicon substrate, beneath the silicide, were obtained for all processing times.
Contido em Journal of Applied Physics. Woodbury. Vol. 61, n. 3 (Feb. 1987), p. 1228-1230
Assunto Dopagem de semicondutores
Fisica da materia condensada
Semicondutores
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95359
Arquivos Descrição Formato
000112930.pdf (363.3Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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