Repositório Digital

A- A A+

Electrical resistivity of bismuth implanted into silicon

.

Electrical resistivity of bismuth implanted into silicon

Mostrar registro completo

Estatísticas

Título Electrical resistivity of bismuth implanted into silicon
Autor Silva, Antonio Ferreira da
Sernelius, Bo E.
Souza, Joel Pereira de
Boudinov, Henri Ivanov
Abstract We investigate the electrical properties of Bi-doped Si samples, prepared by ion implantation, in a range of concentrations around and above the metal–nonmetal transition. Comparison between experimental and theoretical values of the resistivity brought out that in these samples a similar behavior is observed as for other n-doped Si, thus confirming the results obtained in the same range of impurity concentration, i.e., p(Sb)<P(p)<p(As)<p(Bi).
Contido em Journal of Applied Physics. Woodbury. Vol. 79, n. 7 (Apr. 1996), p. 3453-3455
Assunto Condutividade eletrica
Dopagem de semicondutores
Fisica da materia condensada
Implantacao de ions
Impurezas
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95365
Arquivos Descrição Formato
000140522.pdf (232.6Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

Este item está licenciado na Creative Commons License

Este item aparece na(s) seguinte(s) coleção(ões)


Mostrar registro completo

Percorrer



  • O autor é titular dos direitos autorais dos documentos disponíveis neste repositório e é vedada, nos termos da lei, a comercialização de qualquer espécie sem sua autorização prévia.
    Projeto gráfico elaborado pelo Caixola - Clube de Criação Fabico/UFRGS Powered by DSpace software, Version 1.8.1.