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Sequential phase formation by ion-induced epitaxy in fe-implanted si(001)

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Sequential phase formation by ion-induced epitaxy in fe-implanted si(001)

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Título Sequential phase formation by ion-induced epitaxy in fe-implanted si(001)
Autor Behar, Moni
Bernas, H.
Desimoni, Judith
Lin, X.W.
Maltez, Rogério Luis
Abstract Ion-beam-induced epitaxial crystallization (IBIEC) of Fe-implanted Si(OO1) was studied by transmission electron microscopy and Rutherford backscattering spectrometry. For sufficiently high Fe doses, it was found that IBIEC at 320 °C results in sequential epitaxy of Fe silicide phases in Si, with a sequence of y-FeSi2, α-FeSi2 and β-FeSi2 with increasing Fe concentration along the implantation profile. The critical concentrations for the y-a and α-β phase transitions were determined as ≈ 11 and 21 at. % Fe, respectively. The observed sequential phase formation can be correlated to the degree of lattice mismatch with the Si matrix and the stoichiometry of the silicide phases.
Contido em Journal of Applied Physics. Woodbury. Vol. 79, n. 2 (Jan. 1996), p. 752-762
Assunto Crescimento epitaxial
Fisica da materia condensada
Implantacao de ions
Microscopia eletronica de transmissao
Retroespalhamento rutherford
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95366
Arquivos Descrição Formato
000141660.pdf (668.0Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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