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The epitaxial growth of evaporated cu/caf2 bilayers on si(111)

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The epitaxial growth of evaporated cu/caf2 bilayers on si(111)

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Título The epitaxial growth of evaporated cu/caf2 bilayers on si(111)
Autor Mattoso Filho, Ney Pereira
Mosca Junior, Dante Homero
Mazzaro, Irineu
Teixeira, Sergio Ribeiro
Schreiner, Wido Herwig
Abstract Successful and unexpected epitaxial growth of Cu/CaF2, bilayers on hydrogen terminated Si(111) wafers by thermal evaporation is reported. The bilayers were characterized with conventional x-ray diffraction experiments, grazing angle incidence x-ray diffraction experiments, rocking curves, and x scans. The growth mode of Cu films on CaF2 epitaxially grown on Si(111) is completely different from that of the Cu film grown directly on Si(111).
Contido em Journal of Applied Physics. Woodbury. Vol. 77, n. 6 (Mar. 1995), p. 2831-2833
Assunto Crescimento epitaxial
Difracao de raios x
Filmes finos
Fisica da materia condensada
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95417
Arquivos Descrição Formato
000262610.pdf (470.2Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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