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Bias dependence of magnetoresistance in Fe-Al/sub 2/O/sub 3/ granular thin films

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Bias dependence of magnetoresistance in Fe-Al/sub 2/O/sub 3/ granular thin films

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Título Bias dependence of magnetoresistance in Fe-Al/sub 2/O/sub 3/ granular thin films
Autor Boff, Marco Aurelio Silveira
Geshev, Julian Penkov
Schmidt, Joao Edgar
Flores, Wladimir Hernandez
Antunes, Arlei Borba
Gusmao, Miguel Angelo Cavalheiro
Teixeira, Sergio Ribeiro
Abstract This paper reports on the magnetotransport behavior of Fe–Al2O3 granular thin films when the injected dc current is varied. The electric resistance as a function of temperature, magnetoresistance, and the current vs applied bias potential measurements were used to characterize the samples. It was found that the transport mechanism which best describes the electronic properties of these samples is variable range hopping. Non-Ohmic behavior was observed and is claimed as responsible for the great modification of the electronic characteristics of the system as a function of the applied bias potential. Inversion of the tunneling magnetoresistance is observed for applied bias potential greater than 3 V. Such inverted magnetoresistance comes from the activation of low resistivity tunneling paths that are promoted by increasing the bias potential. An expression is proposed to describe the magnetoresistance behavior.
Contido em Journal of applied physics. Melville. Vol. 91, no. 12 (June 2002), p. 9909-9914
Assunto Alumina
Ferro
Filmes finos magneticos
Filmes finos metálicos descontinuos
Magnetoresistencia
Materiais ferromagneticos
Resistividade eletrica
Tunelamento eletrônico
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95820
Arquivos Descrição Formato
000322689.pdf (342.3Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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