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Electrical isolation of InGaP by proton and helium ion irradiation

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Electrical isolation of InGaP by proton and helium ion irradiation

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Título Electrical isolation of InGaP by proton and helium ion irradiation
Autor Danilov, Iuri
Souza, Joel Pereira de
Boudinov, Henri Ivanov
Bettini, Jefferson
Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de
Abstract Formation of electrical isolation in n- and p-type In0.49Ga0.51P epitaxial layers grown on semi-insulating GaAs substrates was investigated using proton or helium ion irradiation. Sheet resistance increases with the irradiation dose, reaching a saturation level of ≈109 Ω/. The results show that the threshold dose necessary for complete isolation linearly depends on the original carrier concentration either in p- or n-type doped InGaP layers. Thermal stability of the isolation during postirradiation annealing was found to increase with accumulation of the ion dose. The maximum temperature at which the isolation persists is ~=500°C.
Contido em Journal of applied physics. Melville. Vol. 92, no. 8 (Oct. 2002), p. 4261-4265
Assunto Camadas epitaxiais semicondutoras
Compostos de galio
Compostos de indio
Densidade de portadores
Efeitos de feixe iônico
Estabilidade termica
Semicondutores iii-v
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95822
Arquivos Descrição Formato
000334260.pdf (220.0Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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