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Characterization of deep level traps responsible for isolation of proton implanted GaAs

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Characterization of deep level traps responsible for isolation of proton implanted GaAs

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Título Characterization of deep level traps responsible for isolation of proton implanted GaAs
Autor Boudinov, Henri Ivanov
Coelho, Artur Vicente Pfeifer
Tan, Hoe H.
Jagadish, Chenupati
Abstract Deep level transient spectroscopy was employed to determine the electrical properties of defects induced in metalorganic chemical-vapor deposition grown n-type and p-type GaAs during proton bombardment. Thermal stability of these defects was investigated and correlation with defects responsible for isolation of GaAs by ion bombardment was discussed. The annealing temperature region (220–250°C) is similar to proton isolated GaAs below the threshold dose for complete isolation. At least four of the five traps observed in n-type GaAs are not simple interstitial-vacancy pairs. For p-type GaAs we have observed an unknown level with apparent energy of ~0.64 eV.
Contido em Journal of applied physics. Melville. Vol. 93, no. 6 (Mar. 2003), p. 3234-3238
Assunto Estabilidade termica
Implantacao ionica
Níveis profundos
Semicondutores iii-v
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95823
Arquivos Descrição Formato
000357067.pdf (240.0Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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