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Ultrafast trapping times in ion implanted InP

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Ultrafast trapping times in ion implanted InP

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Título Ultrafast trapping times in ion implanted InP
Autor Carmody, Christine
Boudinov, Henri Ivanov
Tan, Hoe H.
Jagadish, Chenupati
Lederer, Max J.
Koley, Vesselin
Luther-Davies, B.
Dao, L.V.
Gal, Michael
Abstract As+ and P+ implantation was performed on semi-insulating (SI) and p-type InP samples for the purpose of creating a material suitable for ultrafast optoelectronic applications. SI InP samples were implanted with a dose of 1x1016 cm-² and p-type InP was implanted with doses between 1x1012 and 1x1016 cm-². Subsequently, rapid thermal annealing at temperatures between 400 and 700°C was performed for 30 sec. Hall-effect measurements, double-crystal x-ray diffraction, and time-resolved femtosecond differential reflectivity showed that, for the highest-annealing temperatures, the implanted SI InP samples exhibited high mobility, low resistivity, short response times, and minimal structural damage. Similar measurements on implanted p-type InP showed that the fast response time, high mobility, and good structural recovery could be retained while increasing the resistivity.
Contido em Journal of applied physics. Melville. Vol. 92, no. 5 (Sept. 2002), p. 2420-2423
Assunto Compostos de indio
Difracao de raios x
Efeito hall
Espectros de evolução no tempo
Implantacao de ions
Mobilidade de portadores
Recozimento térmico rápido
Refletividade
Resistividade eletrica
Semicondutores iii-v
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95824
Arquivos Descrição Formato
000334504.pdf (223.9Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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