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Amorphization/recrystallization of buried amorphous silicon layer induced by oxygen ion implantation

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Amorphization/recrystallization of buried amorphous silicon layer induced by oxygen ion implantation

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Título Amorphization/recrystallization of buried amorphous silicon layer induced by oxygen ion implantation
Autor Souza, Joel Pereira de
Cima, Carlos Alberto
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Boudinov, Henri Ivanov
Abstract In this paper we discuss the structural modifications observed in a buried amorphous Si (α-Si) layer containing high oxygen concentration level (up to ~ 3 at.%) after being implanted at elevated temperature with 16O+ ions. For implants conducted at temperatures lower than 150°C, the α-Si layer expands via layer by layer amorphization at the front and back amorphous–crystalline (a–c) interfaces. When performed at temperatures above 150°C, the implants lead to the narrowing of the buried a-Si layer through ion beam-induced epitaxial crystallization at both a–c interfaces. Cross section transmission electron microscopy analysis of samples implanted at 400°C revealed an array of microtwins and a dislocation network band in the recrystallized material. In samples implanted at 550°C, only a buried dislocation network band is observed.
Contido em Journal of applied physics. Vol. 95, no. 3 (Feb. 2004), p. 877-880
Assunto Amorfizacao
Implantacao de ions
Implantacao ionica
Microscopia eletronica de transmissao
Oxigenio
Recristalizacao
Semicondutores amorfos
Silicio
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95828
Arquivos Descrição Formato
000399224.pdf (346.0Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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