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Electrical resistivity of acceptor carbon in GaAs

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Electrical resistivity of acceptor carbon in GaAs

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Título Electrical resistivity of acceptor carbon in GaAs
Autor Silva, Antonio Ferreira da
Pepe, I.
Sernelius, Bo E.
Persson, C.
Ahuja, R.
Souza, Joel Pereira de
Suzuki, Yoko
Yang, Y.
Abstract The electrical resistivity was investigated from room temperature down to 1.7 K for the shallow acceptor carbon in GaAs prepared by ion implantation with impurity concentrations between 1017 and 1019 cm-³. Good agreement was obtained between the measured resistivities and resistivities calculated by a generalized Drude approach at similar temperatures and doping concentrations. The critical impurity concentration for the metal–nonmetal transition was found to be about 1018 cm-³.
Contido em Journal of applied physics. Vol. 95, no. 5 (Mar. 2004), p. 2532-2535
Assunto Arseneto de galio
Carbono
Dopagem de semicondutores
Implantacao ionica
Resistividade eletrica
Semicondutores iii-v
Transicao metal isolante
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95830
Arquivos Descrição Formato
000416066.pdf (215.8Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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