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Thermal growth of silicon oxynitride films on Si : a reaction-diffusion approach

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Thermal growth of silicon oxynitride films on Si : a reaction-diffusion approach

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Título Thermal growth of silicon oxynitride films on Si : a reaction-diffusion approach
Autor Almeida, Rita Maria Cunha de
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Ganem, Jean-Jacques
Trimaille, Isabelle
Rigo, Serge
Abstract We present some experimental results and propose a reaction-diffusion model to describe thermal growth of silicon oxynitride films on Si in NO and N2O, as well as annealing in NO of thermally grown silicon oxide films on Si. We obtain growth kinetics and N and O depth distributions for the different growth routes by changing only initial and boundary conditions of a set of nonlinear differential equations. The results suggest that the puzzling differences in film growth rate and N incorporation originate from dynamical effects, rather than in differences in chemical reactions.
Contido em Journal of applied physics. Vol. 95, no. 4 (Feb. 2004), p. 1770-1773
Assunto Física
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/95834
Arquivos Descrição Formato
000400919.pdf (225.6Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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