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Spatial separation of vacancy and interstitial defects formed in Si by oxygen-ion irradiation at elevated temperature

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Spatial separation of vacancy and interstitial defects formed in Si by oxygen-ion irradiation at elevated temperature

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Título Spatial separation of vacancy and interstitial defects formed in Si by oxygen-ion irradiation at elevated temperature
Autor Danilov, Iuri
Boudinov, Henri Ivanov
Souza, Joel Pereira de
Drozdov, Yu. N.
Abstract A study of damage depth distribution in Si by elevated temperature O+-ion implantation was performed using three structures: (i) bulk Si, (ii) Si/SiO2 /bulk Si, and (iii) SiO2 /bulk Si. The samples were implanted at 250°C with a dose of 5x1016 cm-² at an energy of 185 keV. By this approach, the damage depth profile distributes along the SiO2 and Si layers in a different manner according to the sample structure. A comparative analysis of the high-resolution x-ray diffraction spectra taken from the implanted samples permitted us to infer on the spatial separation between vacancy and interstitial-rich layers, which are associated with the presence of negative and positive strained layers, respectively.
Contido em Journal of applied physics. Vol. 97, no. 7 (Apr. 2005), 076106 3p.
Assunto Compostos de silício
Difracao de raios x
Efeitos de feixe iônico
Intersticiais
Semicondutores elementares
Silicio
Vacancias cristal
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/96095
Arquivos Descrição Formato
000534083.pdf (200.6Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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