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Hydrogen trapping in oxigen-deficient hafnium silicates

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Hydrogen trapping in oxigen-deficient hafnium silicates

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Título Hydrogen trapping in oxigen-deficient hafnium silicates
Autor Fonseca, Leonardo R. C.
Xavier Jr., A. L.
Ribeiro Jr., Marcelo
Driemeier, Carlos Eduardo
Baumvol, Israel Jacob Rabin
Abstract Isotopic substitution, nuclear reaction analysis, and x-ray photoelectron spectroscopy were employed to show that oxygen-deficient hafnium (Hf) silicates trap hydrogen atoms. Based on this experimental observation, we used first-principles calculations to investigate the structure, energetics, and electronic properties of H interacting with O vacancies in a hafnium silicate model. We found that O vacancies close to a Si atom are energetically favored when compared to vacancies in HfO2-like regions, implying that close-to-Si O vacancies are more likely to occur. Trapping of two H atoms at a close-to-Si O vacancy passivates the vacancy-induced gap states. The first H interacts with neighboring Hf atoms, whereas the second H binds to the Si atom.
Contido em Journal of applied physics. Melville. Vol. 102, no. 4 (Aug. 2007), 044108, 6p.
Assunto Atrapamento
Háfnio
Hidrogenio
Mosfet
Oxigenio
Silicatos
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/96102
Arquivos Descrição Formato
000605402.pdf (858.5Kb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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