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Electroluminescence induced by Ge nanocrystals obtained by hot ion implantation into SiO2

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Electroluminescence induced by Ge nanocrystals obtained by hot ion implantation into SiO2

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Título Electroluminescence induced by Ge nanocrystals obtained by hot ion implantation into SiO2
Autor Bregolin, Felipe Lipp
Behar, Moni
Sias, Uilson Schwantz
Reboh, Shay
Lehmann, Jan
Rebohle, Lars
Skorupa, Wolfgang
Abstract Commonly, electroluminescence (EL) from Ge nanocrystals (Ge NCs) has been obtained by room temperature (RT) Ge implantation into a SiO2 matrix followed by a high temperature anneal. In the present work, we have used a novel experimental approach: we have performed the Ge implantation at high temperature (Ti) and subsequently a high temperature anneal at 900 °C in order to grow the Ge NCs. By performing the implantation at Ti=350 °C, the electrical stability of the MOSLEDs were enhanced, as compared to the ones obtained from RT implantation. Moreover, by changing the implantation fluence from Φ=0.5x1016 and 1.0x1016 Ge/cm² we have observed a blueshift in the EL emission peak. The results show that the electrical stability of the hot implanted devices is higher than the ones obtained by RT implantation.
Contido em Journal of applied physics. Melville. Vol. 106, no. 10 (Nov. 2009), 106103, 3 p.
Assunto Compostos de silício
Deslocamento de linha espectral
Dispositivos mis
Eletroluminescencia
Germânio
Implantacao ionica
Materiais nanoestruturados
Semicondutores elementares
Origem Estrangeiro
Tipo Artigo de periódico
URI http://hdl.handle.net/10183/96129
Arquivos Descrição Formato
000731445.pdf (1.537Mb) Texto completo (inglês) Adobe PDF Visualizar/abrir

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